Poznajemy tranzystory – część 4

W poprzednim odcinku gruntownie omówiliśmy obwód wejściowy tranzystora, czyli złącze baza−emiter. Dziś oczywiście zajmiemy się obwodem kolektor−emiter i wreszcie dowiesz się jak tranzystor wzmacnia napięcie. Także w tym odcinku rzucam cię od razu na głęboką wodę i zapoznajesz się z dość trudnymi sprawami. Jeśli nie jesteś zwolennikiem nadmiernego wykorzystywania szarych komórek, nie czytaj tego artykułu.

Na początek jeszcze raz ważne przypomnienie: możesz śmiało uważać, że tranzystory PNP i NPN różnią się tylko kierunkiem przepływu prądów – generalna zasada ich działania jest taka sama. Przykłady opisane dalej wykorzystują tranzystory NPN, których używamy częściej. Wszystkie podane rozważania dotyczą oczywiście także tranzystorów PNP, ale nie chcę ci zanadto mieszać w głowie i nie zamieszczam analogicznych rysunków z tranzystorami PNP. Jeśli rysuję ci jakiś przykładowy układ z tranzystorem NPN, to podobny układ możesz zbudować na tranzystorze PNP, zmieniając biegunowość źródeł zasilania (oraz ewentualnych diod i innych biegunowych elementów). Do tego ciekawego tematu jeszcze pewnie wrócimy w przyszłości.

Obwód kolektora

Jeszcze raz na rysunku 1 możesz zobaczyć schemat zastępczy tranzystora NPN.

Mam nadzieję, że jeszcze pamiętasz, co to jest źródło prądowe: z grubsza biorąc jest to element, który wytwarza (w tranzystorze raczej przepuszcza) prąd o ściśle określonej wartości. Napięcie źródła prądowego nie jest określone – zależy ono od dołączonej rezystancji obciążenia.

W tranzystorze wartość prądu tego źródła prądowego, czyli inaczej mówiąc prąd kolektora, zależy od prądu bazy. Istotna jest dla nas informacja, że prąd kolektora jest β−krotnie większy niż prąd bazy:

IC = β × I_B

Na razie dla uproszczenia załóżmy, że wartość wzmocnienia prądowego β dla danego tranzystora jest stała (co wcale nie jest do końca prawdą, ale to inny temat).

Na rysunku 2 znajdziesz prosty układ pracy tranzystora. Uważaj, tu zaczyna się najczystsza praktyka! Będziemy operować nie tylko na wzorach i literkach, ale obliczymy najprawdziwsze prądy i napięcia.

Na razie niech cię nie obchodzi, skąd bierze się prąd bazy. Zapamiętaj, że rezystor R1 jest dla tranzystora obciążeniem. Co możemy powiedzieć o napięciu na kolektorze, czyli w punkcie oznaczonym A? Przyzwyczaj się do traktowania obwodu kolektorowego jako źródła prądowego. Jeśli tak, to o napięciu kolektora będzie decydować prąd kolektora, wytwarzający na obciążeniu R1 jakiś spadek napięcia.

Na rysunku 2 zaznaczyłem ci napięcie kolektora U_C (między masą i kolektorem), oraz napięcie, a właściwie spadek napięcia na rezystorze R1.

Na razie o tych napięciach nie wiemy nic, bo nie wiemy jaki jest prąd kolektora.

Przypuśćmy teraz, że przez obwód bazy nie płynie żaden prąd. Taki stan nazywany stanem zatkania lub odcięcia tranzystora, mówimy, że tranzystor nie przewodzi (prądu), że jest zatkany. W takim razie w obwodzie kolektora też nie płynie żaden prąd (IC = β × 0).

Stop! Prawdopodobnie w szkole straszyli cię jakimś tam prądem zerowym i kazali obliczać wartości tego prądu. Rzeczywiście, nawet jeśli prąd bazy nie płynie, to w obwodzie kolektora płynie maleńki prąd, zwany właśnie prądem zerowym kolektora. Prąd ten oznaczany jest I_CE0. Teraz uważaj – choć w rozważaniach teoretycznych prąd zerowy ma spore znaczenie, w praktyce można go śmiało pominąć i przyjąć że ma pomijalnie małą wartość. Prądy zerowe miały znaczną wartość (rzędu mikroamperów i więcej) tylko w starych tranzystorach germanowych. Współczesne tranzystory krzemowe małej mocy, które najczęściej stosujemy w naszych układach mają prąd zerowy rzędu pojedynczych nanoamperów. Prąd taki można spokojnie pominąć, choćby dlatego, że nawet na dużej rezystancji 1 MΩ prąd 10 nA (0,01 μA) wywoła spadek napięcia tylko 10 mV.

A co z wartościami prądu I_CE0 (oraz I_CB0) podawanymi w katalogach? Dla tranzystorów dużej mocy w katalogach podaje się wartości prądu zerowego kolektora sięgające 1 mA! Czy takiego prądu zerowego trzeba się spodziewać w kolektorze zatkanego tranzystora mocy? Skądże! Po pierwsze jest to parametr mierzony przy niepodłączonym obwodzie bazy. Gdy baza jest zwarta do emitera (choćby przez rezystor, a tak jest w ogromnej większości praktycznych układów) prąd ten jest mniejszy. Po drugie prąd ten jest mierzony przy maksymalnym dla tego tranzystora napięciu kolektora. W ogromnej większości przypadków tranzystory nie pracują przy maksymalnym dopuszczalnym napięciu pracy. Po trzecie producent podaje maksymalną wartość tego prądu czyli najgorszy możliwy przypadek, a wartość typowa jest znacznie mniejsza.

Jeszcze raz: dla małych tranzystorów prąd zerowy kolektora możesz spokojnie pominąć, natomiast przy dużych tranzystorach mocy może on mieć znaczącą wartość tylko wtedy, gdy tranzystor jest gorący.

Żebyś nie miał fałszywego wyobrażenia, proponuję ci zadanie domowe: zestaw obwód według rysunku 3 i sprawdź prąd kolektora swoich tranzystorów, zwłaszcza tych dużej mocy, zarówno przy zwarciu, jak i rozwarciu wyłącznika S. Szeregowy rezystor jest na wypadek, byś nie uszkodził miernika w przypadku jakiejś pomyłki lub badania uszkodzonego tranzystora. Oczywiście miernik powinien być jak najczulszy, z powodzeniem możesz wykorzystać cyfrowy multimetr na zakresie prądu (stałego) równym 2 mA.

Możesz podgrzać badane tranzystory do temperatury +100…+150°C, choćby za pomocą lutownicy (ale ostrożnie – pamiętaj, że grot lutownicy ma temperaturę ponad +300°C).

Przekonasz się sam, że prąd zerowy małych tranzystorów jest naprawdę pomijalnie mały i można o nim zapomnieć. Jeśli tak, to wracamy do rysunku 2.

Jakie napięcie będzie panować na kolektorze tranzystora w stanie zatkania?

Prąd przez tranzystor praktycznie nie płynie, więc spadek napięcia na rezystorze R1 jest równy zeru (U_R1 = I_C × R1). Jeśli tak, to w stanie zatkania napięcie na kolektorze jest równe napięciu zasilającemu. Możemy powiedzieć, że całe napięcie zasilania odkłada się na tranzystorze.

W tym miejscu mogę ci powiedzieć, że zazwyczaj napięcie zasilające w naszych układach wynosi 9…15 V. Jednak w niektórych układach (np. wzmacniacze dużej mocy audio) napięcie zasilające jest dużo wyższe, i sięga stu i więcej woltów. Musisz pamiętać, że każdy tranzystor ma określone przez producenta, maksymalne napięcie kolektora. W katalogu znajdziesz je jako parametr U_CE0, bądź jako U_CES. Końcówka oznaczenia 0 (zero albo open – otwarty) wskazuje, że dotyczy to sytuacji, gdy baza jest niepodłączona, a napięcie testowe podawane jest między kolektor i emiter. Literka S w oznaczeniu (short – zwarty) informuje, że podczas testu baza jest zwarta z emiterem. Napięcie U_CE0 jest trochę mniejsze niż U_CES, czyli zwarcie bazy do emitera zwiększa odporność tranzystora na podwyższone napięcia kolektora.

Wszystkie obecnie produkowane tranzystory mają napięcie U_CE0 nie mniejsze niż 25…30 V, więc przy napięciach zasilania do 24 V nawet nie musisz sprawdzać go w katalogu.

A czym grozi przekroczenie napięcia U_CE0? Przekroczenie go o 10…20% nie grozi niczym, trochę większe zwiększy prąd zerowy kolektora, znacznie większe doprowadzi do nieodwracalnego uszkodzenia tranzystora. Obecnie oferta tranzystorów wysokonapięciowych jest bardzo szeroka, bez problemu można kupić tranzystory na napięcia 100…1500 V i nie ma żadnego uzasadnionego powodu, byś przekraczał katalogowe napięcie U_CE0.

Nie ma też najmniejszej potrzeby, byś poznawał sposoby łączenia kilku tranzystorów niskonapięciowych w jeden „tranzystor” wysokonapięciowy. Takie schematy spotyka się w starych książkach – zapomnij o nich.

Nie stosuj też tranzystorów wysokonapięciowych w obwodach o niskim napięciu zasilania – tranzystory te mogą pracować przy wysokich napięciach kolektora, ale niektóre parametry mają znacznie gorsze od typowych tranzystorów małej mocy.

W naszej praktyce najczęściej używamy obecnie tranzystorów: BC547 i BC548 (NPN) i BC557 i BC558 (PNP). BC547 i BC557 mają napięcie U_CE0 równe 45 V, a BC548 i BC558 – 25 V.

Przy praktycznych obliczeniach zamiast omów, woltów i amperów (faradów, henrów, herców, sekund, itp.), często używamy jednostek mniejszych lub większych (wielokrotnych i pod wielokrotnych). Przy mnożeniu i dzieleniu tak podanych wartości należy pamiętać o uwzględnieniu mnożnika. Poniższa tabela pomoże w prosty sposób uwzględniać te mnożniki:

mA × kΩ = V	V / kΩ = mA	V / mA = kΩ
mA × Ω = mV	mV / Ω = mA	mV / mA = Ω
μA × kΩ = mV	mV / kΩ = μA	mV / μA = kΩ
μA × MΩ = V	V / MΩ = μA	V / μA = MΩ
μA × Ω = μV	μV / Ω = μA	μV / μA = Ω
nA × kΩ = μV	μV / kΩ = nA	μV / nA = kΩ
nA × MΩ = mV	mV / MΩ = nA	mV / nA = MΩ

Idziemy dalej. Załóżmy teraz, że prąd bazy tranzystora w układzie z rysunku 2 wynosi 10 μA. Jak wynika z rysunku, tranzystor ma wzmocnienie 100, więc prąd kolektora wyniesie:

I_C = 100 × 10 μA = 1000 μA = 1 mA

Taki prąd przepływając przez rezystor R1 wywoła spadek napięcia równy:

U_R1 = 1 mA × 1 kΩ = 0,001 A × 1000 Ω = 1 V

Tym samym napięcie kolektora, mierzone w stosunku do masy (minusa zasilania), będące różnicą napięcia baterii zasilającej i spadku napięcia na rezystorze R1 wyniesie:

U_C = 10 V − 1 V = 9 V

Jeśli teraz prąd bazy naszego tranzystora zwiększymy do 60 μA, prąd kolektora wzrośnie do 6 mA, napięcie na rezystorze R1 wzrośnie do 6 V, a napięcie kolektora U_C wyniesie 4 V. Zwiększanie prądu bazy powoduje zmniejszanie napięcia na kolektorze.

Już tu widzisz, że tranzystor odwraca kierunek zmian: wzrost prądu bazy (i odpowiadający mu wzrost napięcia baza−emiter) powoduje spadek napięcia na kolektorze. Zapamiętaj: tranzystor w układzie pracy z rysunku 2 odwraca kierunek zmian, czyli fazę przebiegu. Ze sformułowaniem „tranzystor odwraca fazę” będziesz się spotykał bardzo często. Wrócimy do tego.

Na razie zastanowimy się, co się stanie, gdy jeszcze bardziej zwiększymy prąd bazy.

Przy prądzie bazy równym 90 μA prąd kolektora wyniesie:

I_C = 100 * 90 μA = 9000 μA = 9 mA

a napięcie na kolektorze:

U_C = 10 V − (9 mA * 1 kΩ) = 1 V

A co się stanie, gdy prąd bazy wyniesie 100 μA (0,1 mA)?

Teoretycznie napięcie na kolektorze będzie równe zeru:

UC = 10 V − (100 * 0,1 mA * 1 kΩ) = 0 V

Czyli tranzystor będzie w pełni otwarty i całe napięcie zasilające odłoży się na obciążeniu.

A jeśli jeszcze zwiększymy prąd bazy, powiedzmy do 1 mA.

Czy prąd kolektora wzrośnie do wartości 1 mA × 100 = 100 mA???

Ależ skąd, nie wzrośnie, bo maksymalny prąd kolektora wyznaczony jest przez obciążenie. Ten maksymalny prąd kolektora nie przekroczy wartości U_zas/R1 czyli:

A więc co się stanie przy próbie zwiększenia prądu bazy do 1 mA?

Jeśli powiesz, że w takich warunkach nie da się zwiększyć prądu bazy do 1 mA, bo się „nie zmieści w bazie”, trafiłeś kulą w płot. Prąd bazy możemy w tym układzie pracy zwiększać dowolnie – już rysunek 1 pokazuje, że prąd „diody baza−emiter” można dowolnie zwiększać. Z tym dowolnie, to trochę przesadziłem, bo obwód B−E jest w sumie delikatny i nadmierne zwiększenie prądu bazy może ten obwód uszkodzić. Dlatego w katalogach podaje się maksymalną wartość prądu bazy I_Bmax, która nie uszkodzi tranzystora. Ale nie wpadaj w panikę – nawet dla tranzystorów małej mocy (BC548, BC107, itp.) dopuszczalny prąd bazy wynosi co najmniej 20 mA.

Jeszcze raz cię pytam, czym grozi zwiększenie prądu bazy w układzie z rysunku 2 do powiedzmy 1 mA?

Oczywiście niczym nie grozi! Wygląda na to, że jest to marnowanie prądu, bo zwiększanie prądu bazy powyżej 0,1 mA już nic w naszym układzie nie zmienia.

Zapamiętaj raz na zawsze, że taki stan pracy, gdy tranzystor jest w pełni otwarty, a napięcie na kolektorze jest najniższe z możliwych, nazywa się stanem nasycenia tranzystora. Mówimy, że tranzystor jest nasycony.

Znasz już dwa stany tranzystora: zatkanie i nasycenie. W tych stanach pracują wszystkie układy logiczne – tranzystory w nich są albo w pełni zatkane, albo w pełni otwarte. Tranzystor pełni wówczas jedynie rolę przełącznika. Ale to dotyczy tranzystorów zawartych w układach scalonych logicznych czyli cyfrowych, natomiast w układach budowanych z pojedynczych tranzystorów zdecydowanie większe znaczenie ma praca w zakresie liniowym, czyli w tym „środkowym” zakresie, gdy zmiana prądu bazy wywołuje proporcjonalne zmiany prądu i napięcia kolektora.

Zakresem pracy liniowej będziemy się jeszcze zajmować szerzej przy okazji wzmacniania przebiegów zmiennych. Na razie wracamy do stanu nasycenia.

Czy tranzystor w stanie nasycenia ma napięcie na kolektorze dokładnie równe zeru? Czy określenie „w pełni otwarty” oznacza, iż złącze kolektor−emiter można traktować jak zworę o zerowej rezystancji?

Cóż, tu właśnie dają o sobie znać właściwości rzeczywistego tranzystora, których nie można się domyślić na podstawie uproszczonego schematu zastępczego z rysunku 1. W rzeczywistym tranzystorze bipolarnym napięcie na kolektorze nigdy nie spadnie do zera. Nawet przy zwiększeniu prądu bazy do największej dopuszczalnej wartości, napięcie na kolektorze nie będzie równe zeru. W stanie nasycenia na kolektorze będzie występować niewielkie napięcie, zwane napięciem nasycenia, oznaczane U_CEsat ( sat od saturation – nasycenie). Niewielkie napięcie? Czyli jakie?

Nie ma jednoznacznej odpowiedzi, można tylko powiedzieć, że nie jest to „czyste zwarcie”. Dla tranzystorów małej mocy przy prądach kolektora (ograniczonych wartością rezystora obciążenia R1) rzędu pojedynczych miliamperów, napięcie to będzie wynosić kilka lub kilkanaście miliwoltów. Przy większych prądach kolektora co najwyżej kilkaset miliwoltów. Trochę większe będzie w tranzystorach wysokonapięciowych (nawet do 1 V), a mniejsze dla tranzystorów dużej mocy.

Napięcie nasycenia zależy nie tylko od prądu kolektora, ale i od prądu bazy. Jeśli prąd bazy jest możliwie mały, ale jednak na tyle duży, by wprowadzić tranzystor w stan nasycenia, mówimy o płytkim nasyceniu. Gdy prąd bazy jest znacznie większy, niż wymagane minimum, mówimy o głębokim nasyceniu.

Proponuję ci, żebyś w ramach ćwiczeń praktycznych zestawił układ według rysunków 4a i 4b, a następnie sprawdził, jakie napięcie nasycenia mają twoje tranzystory w takich warunkach.

Jeśli tylko masz ku temu warunki, wykonuj zalecane ćwiczenia i w jakimś zeszycie notuj wyniki podając układ testowy i warunki pomiaru. Takie ćwiczenia wykonuje się tylko raz w życiu, a potem w przyszłości zawsze można zajrzeć do zeszytu i sprawdzić czy w jakimś wyrafinowanym układzie uda się uzyskać założone parametry. A teraz przechodzimy do kwestii, jak tranzystor wzmacnia napięcie.

Wzmacnianie napięć

Na rysunku 5a znajdziesz zależność napięcia na kolektorze od prądu kolektora. Rysunek dotyczy tranzystora pracującego w układzie według rysunku 2. Nie ma żadnych wątpliwości – ze wzrostem prądu kolektora napięcie na kolektorze zmniejsza się. Tak samo nie budzi żadnych wątpliwości rysunek 5b, gdzie pokazano zależność napięcia kolektora od prądu bazy (dla wzmocnienia prądowego równego 100).

Piękna charakterystyka, prawda? Cieszysz się, że pokazana zależność jest liniowa? Zawsze jeśli zależność jest liniowa, to zapowiada pracę bez zniekształceń przy wzmacnianiu przebiegów zmiennych.

Ale nie wpadnij w euforię – zauważ, że jest to zależność napięcia wyjściowego od prądu wejściowego!

A jak będzie wyglądać zależność napięcia kolektora od napięcia na bazie? Dopiero teraz znajdziesz odpowiedź, jak tranzystor wzmacnia napięcie. Na rysunku 6 jeszcze raz pokazałem ci zależność prądu bazy od napięcia baza−emiter. Na podstawie rysunku 6 i 5b możesz sam narysować zależność napięcia U_C od napięcia U_BE.

Zrobimy to wspólnie na rysunku 7. Dla napięć na bazie mniejszych od 0,5 V, nie płynie prąd bazy i kolektora, a więc napięcie na kolektorze jest równe napięciu zasilającemu. Dopiero dla napięć wyższych pojawi się prąd bazy i kolektora i napięcie kolektora zacznie się zmniejszać. Przykładowo punkt A na rysunku 5b przedstawia warunki przy prądzie bazy równym 1 mikroamper. Masz to zaznaczone na rysunku 7. Podobnie dla punktu B, gdy napięcie na kolektorze wynosi 8 V (prąd kolektora 2 mA), napięcie na bazie dla prądu bazy 20 μA musi wynosić około 560 mV. Analogicznie można zaznaczyć następne punkty.

Przy okazji: często spotkasz się określeniem punkt pracy. Rysunki 5 i 7 pomogą ci zrozumieć, co to jest. Punkt pracy tranzystora to napięcia i prądy, jakie występują w układzie w danej chwili. Na naszych rysunkach są to rzeczywiście punkty. Można na przykład powiedzieć, że przy zwiększaniu napięcia na bazie, punkt pracy tranzystora przesuwa się od punktu A do punktu F. Jest to tak zwany liniowy zakres pracy. Punkt A, gdy tranzystor zaczyna przewodzić prąd, nazywa się często punktem lub progiem odcięcia. Powiemy też, że punkty H oraz I leżą poniżej punktu odcięcia. Natomiast punkt G oznacza pracę w zakresie nasycenia.

Uzyskana charakterystyka z rysunku 7 może każdego przerazić. Wprawdzie wzmocnienie czyli stosunek napięcia wyjściowego do wejściowego (reprezentowane na rysunku 7 przez nachylenie linii między punktami A i F) jest bardzo duże i to cieszy, ale zależność napięcia kolektora od napięcia na bazie wcale nie jest liniowa! Po drugie, zmiany napięcia kolektora występują tylko w wąskim zakresie napięć na bazie w granicach 0,5…0,6 V.

Zastanów się, jaki będzie przebieg napięcia na kolektorze, gdy podasz na bazę napięcie zmienne. Przykład możesz zobaczyć na rysunku 8.

Jak widzisz, tranzystor ma duże wzmocnienie, ale żeby tranzystor wzmacniał przebiegi zmienne, musisz na wejście podać mały sygnał, nałożony na pewne napięcie stałe, inaczej mówiąc musisz precyzyjnie „trafić” na liniowy zakres napięć na bazie.

Krótko mówiąc, jeśli tranzystor ma pracować jako wzmacniacz napięć zmiennych, należy wejściowy przebieg zmienny nałożyć na stałe napięcie polaryzacji. A nawet jeśli trafisz, to wskutek nieliniowości charakterystyki przebieg wyjściowy będzie zniekształcony. Niewesoła sytuacja!

W każdym razie jeśli tranzystor ma wzmacniać przebiegi zmienne, konieczne jest dodanie obwodu polaryzacji bazy (napięciem i prądem stałym).

Rysunek 9 pokazuje dwa z możliwych rozwiązań obwodu polaryzacji – schematy często spotykane w podręcznikach. Uważaj – są to bardzo złe rozwiązania i rysunek 9 spokojnie możesz przekreślić czerwonym flamastrem, żeby przypadkiem nie przyszło ci do głowy próbować wykorzystać w praktyce któregoś z tych potworków.

Dlaczego są to złe rozwiązania? I dlaczego tak często spotyka się je w amatorskiej literaturze i podręcznikach?

Odpowiem ci tylko na pierwsze pytanie. Właściwie odpowiesz sobie sam.

Żeby na wyjściu, czyli na kolektorze tranzystora z rysunku 9 (oraz z rysunku 2), który ma wzmocnienie prądowe równe 100, uzyskać napięcie równe połowie napięcia zasilania, czyli ustawić spoczynkowy punkt pracy w środku zakresu pracy (w przybliżeniu) liniowej, prąd bazy musi wynosić 50 μA. Rezystancję rezystora R2 w obwodzie bazy z rysunku 9a można obliczyć:

R2 = (10 V – 0,6 V) / 50 μA = 0.188 MΩ = 188 kΩ

lub zastosować potencjometr pozwalający ustawić potrzebne napięcie kolektora w warunkach naturalnych.

Ale co wtedy, gdy zmieni się napięcie zasilające (np. wyczerpywanie się baterii)? A gdyby tranzystor się zepsuł i zaszła konieczność wymiany go na egzemplarz o innym wzmocnieniu? Policz napięcie kolektora, gdyby tranzystor miał wzmocnienie nie 100 tylko 250.

Już z tego widzisz, że nie jest to rozwiązanie zbyt praktyczne.

Podobnie jest z układem z rysunku 9b. Załóżmy, że napięcie zasilające jest stabilizowane. Nie wnikając w szczegóły, można dobrać stosunek rezystorów dzielnika, by stałe napięcie polaryzacji na bazie było odpowiednie dla uzyskania na kolektorze połowy napięcia zasilającego.

W porządku! A co wtedy, gdy złącze tranzystora się podgrzeje? Przypomnij sobie wiadomości z poprzedniego odcinka. Przy tym samym napięciu na bazie wzrośnie prąd kolektora i spadnie napięcie kolektora.

Przy omawianiu rysunku 9b nie wzięliśmy pod uwagę szczegółów rozpływu prądu – część prądu płynącego przez rezystor R2 będzie płynąć do bazy, a nie przez rezystor R3. Czy potrafiłbyś dobrać rezystory dzielnika uwzględniając ten fakt?

Poważną wadą obu układów z rysunku 9 jest również duża nieliniowość. bo charakterystyka przejściowa jest taka jak na rysunku 8. Duża wartość wzmocnienia też niekoniecznie jest zaletą.

Jak widzisz rozwiązania z rysunku 9 nie są dobre. W stanie spoczynku punkt pracy zależy od temperatury i wzmocnienia prądowego β użytego egzemplarza tranzystora. To są wady wykluczające praktyczną przydatność takich schematów.

Dobrze zaprojektowany układ wzmacniający z tranzystorem przede wszystkim powinien mieć stabilne parametry, niezależnie od wzmocnienia prądowego tego tranzystora. Powinien być liniowy, czyli nie zniekształcać wzmacnianego sygnału. I wcale nie musi mieć bardzo dużego wzmocnienia, a współczynnik wzmocnienia napięciowego powinien być niezależny od wzmocnienia prądowego i powinien dać się regulować. I wszystko to chcemy osiągnąć stosując nasz kapryśny tranzystor o nieliniowej charakterystyce. Jak się okazuje, można to zrobić w bardzo prosty sposób. Opowiem ci o tym w najbliższej przyszłości.

A kolejny odcinek znajdziesz tutaj.

Piotr Górecki