W poszukiwaniu prawdy, część 2
0 komentarze
Kontynuując temat pomiaru podstawowych parametrów tranzystorów MOSFET, by móc zidentyfikować elementy podrabiane, kolejna część jest poświęcona pomiarom rezystancji kanału w stanie włączenia. Temat jest dosyć prosty w swej koncepcji, jednak w pewnych sytuacjach trochę się komplikuje.
W poszukiwaniu prawdy, część 2
Stopniowo powstają kolejne serie artykułów. Niektóre już ukazały się na łamach czasopisma "Zrozumieć Elektronikę" Inne są gotowe i tylko czekają na publikację w kolejnych numerach pisma. I właśnie w tym miejscu znajdzie się, zaplanowany do któregoś z najbliższych numerów ZE, artykuł pt. W poszukiwaniu prawdy,